多晶硅太陽(yáng)能光伏電池組件

　　一、多晶硅太陽(yáng)能電池組件——簡(jiǎn)介

　　多晶硅太陽(yáng)能電池兼具單晶硅電池的高轉(zhuǎn)換效率和長(zhǎng)壽命以及非晶硅薄膜電池的材料制備工藝相對(duì)簡(jiǎn)化等優(yōu)點(diǎn)的新一代電池，其轉(zhuǎn)換效率一般為12%左右，稍低于單晶硅太陽(yáng)電池，沒(méi)有明顯效率衰退問(wèn)題，并且有可能在廉價(jià)襯底材料上制備，其成本遠(yuǎn)低于單晶硅電池，而效率高于非晶硅薄膜電池。

　　多晶硅太陽(yáng)能電池的制作工藝與單晶硅太陽(yáng)電池差不多，但是多晶硅太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率則要降低不少，其光電轉(zhuǎn)換效率約12%左右(2004年7月1日日本夏普上市效率為14.8%的世界最高效率多晶硅太陽(yáng)能電池)。從制作成本上來(lái)講，比單晶硅太陽(yáng)能電池要便宜一些，材料制造簡(jiǎn)便，節(jié)約電耗，總的生產(chǎn)成本較低，因此得到大量發(fā)展。此外，多晶硅太陽(yáng)能電池的使用壽命也要比單晶硅太陽(yáng)能電池短。

　　單晶硅太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)需要消耗大量的高純硅材料，而制造這些材料工藝復(fù)雜，電耗很大，在太陽(yáng)能電池生產(chǎn)總成本中己超二分之一。加之拉制的單晶硅棒呈圓柱狀，切片制作太陽(yáng)能電池也是圓片，組成太陽(yáng)能組件平面利用率低。因此，80年代以來(lái)，歐美一些國(guó)家投入了多晶硅太陽(yáng)能電池的研制。

　　二、多晶硅太陽(yáng)能電池組件——功能

　　1) 鋼化玻璃 其作用為保護(hù)發(fā)電主體(電池片)，透光其選用是有要求的：

　　A. 透光率必須高(一般91%以上);

　　B. 超白鋼化處理

　　2) EVA 用來(lái)粘結(jié)固定鋼化玻璃和發(fā)電主體(電池片)，透明EVA材質(zhì)的優(yōu)劣直接影響到組件的壽命，暴露在空氣中的EVA易老化發(fā)黃，從而影響組件的透光率，從而影響組件的發(fā)電質(zhì)量除了EVA本身的質(zhì)量外，組件廠家的層壓工藝影響也是非常大的，如EVA膠連度不達(dá)標(biāo)，EVA與鋼化玻璃、背板粘接強(qiáng)度不夠，都會(huì)引起EVA提早老化，影響組件壽命。

　　3) 電池片 主要作用就是發(fā)電，發(fā)電主體市場(chǎng)上主流的是晶體硅太陽(yáng)電池片、薄膜太陽(yáng)能電池片，兩者各有優(yōu)劣晶體硅太陽(yáng)能電池片,設(shè)備成本相對(duì)較低，但消耗及電池片成本很高，但光電轉(zhuǎn)換效率也高，在室外陽(yáng)光下發(fā)電比較適宜薄膜太陽(yáng)能電池，相對(duì)設(shè)備成本較高，但消耗和電池成本 很低，但光電轉(zhuǎn)化效率相對(duì)晶體硅電池片一半多點(diǎn)，但弱光效應(yīng)非常好，在普通燈光下也能發(fā)電，如計(jì)算器上的太陽(yáng)能電池。

　　4) EVA 作用如上，主要粘結(jié)封裝發(fā)電主體和背板

　　5) 背板 作用，密封、絕緣、防水(一般都用TPT、TPE等材質(zhì)必須耐老化，組件廠家都質(zhì)保25年，鋼化玻璃，鋁合金一般都沒(méi)問(wèn)題，關(guān)鍵就在與背板和硅膠是否能達(dá)到要求。)

　　6)鋁合金保護(hù)層壓件，起一定的密封、支撐作用

　　7) 接線盒 保護(hù)整個(gè)發(fā)電系統(tǒng)，起到電流中轉(zhuǎn)站的作用，如果組件短路接線盒自動(dòng)斷開短路電池串，防止燒壞整個(gè)系統(tǒng)接線盒中最關(guān)鍵的是二極管的選用，根據(jù)組件內(nèi)電池片的類型不同，對(duì)應(yīng)的二極管也不相同。

　　8) 硅膠 密封作用，用來(lái)密封組件與鋁合金邊框、組件與接線盒交界處有些公司使用雙面膠條、泡棉來(lái)替代硅膠，國(guó)內(nèi)普遍使用硅膠，工藝簡(jiǎn)單，方便，易操作，而且成本很低。

　　三、多晶硅太陽(yáng)能電池組件——電池工藝

　　太陽(yáng)電池從研究室走向工廠，實(shí)驗(yàn)研究走向規(guī)模化生產(chǎn)是其發(fā)展的道路，所以能夠達(dá)到工業(yè)化生產(chǎn)的特征應(yīng)該是：

　　[1]電池的制作工藝能夠滿足流水線作業(yè);

　　[2]能夠大規(guī)模、現(xiàn)代化生產(chǎn);

　　[3]達(dá)到高效、低成本。

　　當(dāng)然，其主要目標(biāo)是降低太陽(yáng)電池的生產(chǎn)成本。多晶硅電池的主要發(fā)展方向朝著大面積、薄襯底。例如，市場(chǎng)上可見到125×125mm2、150×150mm2甚至更大規(guī)模的單片電池，厚度從原來(lái)的300微米減小到250、200及200微米以下。效率得到大幅度的提高。日本京磁(Kyocera)公司150×150的電池小批量生產(chǎn)的光電轉(zhuǎn)換效率達(dá)到17.1%，該公司1998年的生產(chǎn)量達(dá)到25.4MW。

　　(1)絲網(wǎng)印刷及其相關(guān)技術(shù)

　　多晶硅電池的規(guī)�；�生產(chǎn)中廣泛使用了絲網(wǎng)印刷工藝，該工藝可用于擴(kuò)散源的印刷、正面金屬電極、背接觸電極，減反射膜層等，隨著絲網(wǎng)材料的改善和工藝水平的提高，絲網(wǎng)印刷工藝在太陽(yáng)電池的生產(chǎn)中將會(huì)得到更加普遍的應(yīng)用。

　　a.發(fā)射區(qū)的形成利用絲網(wǎng)印刷形成PN結(jié)，代替常規(guī)的管式爐擴(kuò)散工藝。一般在多晶硅的正面印刷含磷的漿料、在反面印刷含鋁的金屬漿料。印刷完成后，擴(kuò)散可在網(wǎng)帶爐中完成(通常溫度在900度)，這樣，印刷、烘干、擴(kuò)散可形成連續(xù)性生產(chǎn)。絲網(wǎng)印刷擴(kuò)散技術(shù)所形成的發(fā)射區(qū)通常表面濃度比較高，則表面光生載流子復(fù)合較大，為了克服這一缺點(diǎn)，工藝上采用了下面的選擇發(fā)射區(qū)工藝技術(shù)，使電池的轉(zhuǎn)換效率得到進(jìn)一步的提高。

　　b.選擇發(fā)射區(qū)工藝在多晶硅電池的擴(kuò)散工藝中，選擇發(fā)射區(qū)技術(shù)分為局部腐蝕或兩步擴(kuò)散法。局部腐蝕為用干法(例如反應(yīng)離子腐蝕)或化學(xué)腐蝕的方法，將金屬電極之間區(qū)域的重?cái)U(kuò)散層腐蝕掉。最初，Solarex應(yīng)用反應(yīng)離子腐蝕的方法在同一臺(tái)設(shè)備中，先用大反應(yīng)功率腐蝕掉金屬電極間的重?fù)诫s層，再用小功率沉積一層氮化硅薄膜，該膜層發(fā)揮減反射和電池表面鈍化的雙重作用。在100cm2的多晶上作出轉(zhuǎn)換效率超過(guò)13%的電池。在同樣面積上，應(yīng)用兩部擴(kuò)散法，未作機(jī)械絨面的情況下轉(zhuǎn)換效率達(dá)到16%。

　　c.背表面場(chǎng)的形成背PN結(jié)通常由絲網(wǎng)印刷A漿料并在網(wǎng)帶爐中熱退火后形成，該工藝在形成背表面結(jié)的同時(shí)，對(duì)多晶硅中的雜質(zhì)具有良好的吸除作用，鋁吸雜過(guò)程一般在高溫區(qū)段完成，測(cè)量結(jié)果表明吸雜作用可使前道高溫過(guò)程所造成的多晶硅少子壽命的下降得到恢復(fù)。良好的背表面場(chǎng)可明顯地提高電池的開路電壓。

　　d.絲網(wǎng)印刷金屬電極在規(guī)�；�生產(chǎn)中，絲網(wǎng)印刷工藝與真空蒸發(fā)、金屬電鍍等工藝相比，更具有優(yōu)勢(shì)，在當(dāng)今的工藝中，正面的印刷材料普遍選用含銀的漿料，其主要原因是銀具有良好的導(dǎo)電性、可焊性和在硅中的低擴(kuò)散性能。經(jīng)絲網(wǎng)印刷、退火所形成的金屬層的導(dǎo)電性能取決于漿料的化學(xué)成份、玻璃體的含量、絲網(wǎng)的粗糟度、燒結(jié)條件和絲網(wǎng)版的厚度。八十年度初，絲網(wǎng)印刷具有一些缺陷，

　　Ⅰ)如柵線寬度較大，通常大于150微米;

　　Ⅱ)造成遮光較大，電池填充因子較低;

　　Ⅲ)不適合表面鈍化，主要是表面擴(kuò)散濃度較高，否則接觸電阻較大。

　　如今用先進(jìn)的方法可絲網(wǎng)印出線寬達(dá)50微米的柵線，厚度超過(guò)15微米，方塊電阻為2.5~4mΩ，該參數(shù)可滿足高效電池的要求。有人在15×15平方厘米的Mc—Si上對(duì)絲網(wǎng)印刷電極和蒸發(fā)電極所作太陽(yáng)電池進(jìn)行了比較，各項(xiàng)參數(shù)幾乎沒(méi)有差距。

　　四、多晶硅太陽(yáng)能電池組件——技術(shù)制作

　　1、光吸收

　　關(guān)于光的吸收對(duì)于光吸收主要是：

　　(1)降低表面反射;

　　(2)改變光在電池體內(nèi)的路徑;

　　(3)采用背面反射。

　　對(duì)于單晶硅，應(yīng)用各向異性化學(xué)腐蝕的方法可在(100)表面制作金字塔狀的絨面結(jié)構(gòu)，降低表面光反射。但多晶硅晶向偏離(100)面，采用上面的方法無(wú)法作出均勻的絨面，目前采用下列方法:

　　[1]激光刻槽

　　用激光刻槽的方法可在多晶硅表面制作倒金字塔結(jié)構(gòu)，在500～900nm光譜范圍內(nèi)，反射率為4～6%，與表面制作雙層減反射膜相當(dāng)。而在(100)面單晶硅化學(xué)制作絨面的反射率為11%。用激光制作絨面比在光滑面鍍雙層減反射膜層(ZnS/MgF2)電池的短路電流要提高4%左右，這主要是長(zhǎng)波光(波長(zhǎng)大于800nm)斜射進(jìn)入電池的原因。激光制作絨面存在的問(wèn)題是在刻蝕中，表面造成損傷同時(shí)引入一些雜質(zhì)，要通過(guò)化學(xué)處理去除表面損傷層。該方法所作的太陽(yáng)電池通常短路電流較高，但開路電壓不太高，主要原因是電池表面積增加，引起復(fù)合電流提高。

　　[2]化學(xué)刻槽

　　應(yīng)用掩膜(Si3N4或SiO2)各向同性腐蝕，腐蝕液可為酸性腐蝕液，也可為濃度較高的氫氧化鈉或氫氧化鉀溶液，該方法無(wú)法形成各向異性腐蝕所形成的那種尖錐狀結(jié)構(gòu)。據(jù)報(bào)道，該方法所形成的絨面對(duì)700～1030微米光譜范圍有明顯的減反射作用。但掩膜層一般要在較高的溫度下形成，引起多晶硅材料性能下降，特別對(duì)質(zhì)量較低的多晶材料，少子壽命縮短。應(yīng)用該工藝在225cm2的多晶硅上所作電池的轉(zhuǎn)換效率達(dá)到16.4%。掩膜層也可用絲網(wǎng)印刷的方法形成。

　　[3]反應(yīng)離子腐蝕(RIE)

　　該方法為一種無(wú)掩膜腐蝕工藝，所形成的絨面反射率特別低，在450～1000微米光譜范圍的反射率可小于2%。僅從光學(xué)的角度來(lái)看，是一種理想的方法，但存在的問(wèn)題是硅表面損傷嚴(yán)重，電池的開路電壓和填充因子出現(xiàn)下降。

　　[4]制作減反射膜層

　　對(duì)于高效太陽(yáng)電池，最常用和最有效的方法是蒸鍍ZnS/MgF2雙層減反射膜，其最佳厚度取決于下面氧化層的厚度和電池表面的特征，例如，表面是光滑面還是絨面，減反射工藝也有蒸鍍Ta2O5, PECVD沉積 Si3N3等。ZnO導(dǎo)電膜也可作為減反材料。

　　2、金屬化

　　金屬化技術(shù)

　　在高效電池的制作中，金屬化電極必須與電池的設(shè)計(jì)參數(shù)，如表面摻雜濃度、PN結(jié)深，金屬材料相匹配。實(shí)驗(yàn)室電池一般面積比較小(面積小于4cm2)，所以需要細(xì)金屬柵線(小于10微米)，一般采用的方法為光刻、電子束蒸發(fā)、電子鍍。工業(yè)化大生產(chǎn)中也使用電鍍工藝，但蒸發(fā)和光刻結(jié)合使用時(shí)，不屬于低成本工藝技術(shù)。

　　[1]電子束蒸發(fā)和電鍍通常，應(yīng)用正膠剝離工藝，蒸鍍Ti/Pa/Ag多層金屬電極，要減小金屬電極所引起的串聯(lián)電阻，往往需要金屬層比較厚(8～10微米)。缺點(diǎn)是電子束蒸發(fā)造成硅表面/鈍化層介面損傷，使表面復(fù)合提高，因此，工藝中，采用短時(shí)蒸發(fā)Ti/Pa層，在蒸發(fā)銀層的工藝。另一個(gè)問(wèn)題是金屬與硅接觸面較大時(shí)，必將導(dǎo)致少子復(fù)合速度提高。

　　工藝中，采用了隧道結(jié)接觸的方法，在硅和金屬成間形成一個(gè)較薄的氧化層(一般厚度為20微米左右)應(yīng)用功函數(shù)較低的金屬(如鈦等)可在硅表面感應(yīng)一個(gè)穩(wěn)定的電子積累層(也可引入固定正電荷加深反型)。另外一種方法是在鈍化層上開出小窗口(小于2微米)，再淀積較寬的金屬柵線(通常為10微米)，形成mushroom—like狀電極，用該方法在4cm2 Mc-Si上電池的轉(zhuǎn)換效率達(dá)到17.3%。此外，在機(jī)械刻槽表面也運(yùn)用了Shallow angle (oblique)技術(shù)。

　　3、PN結(jié)

　　形成方法

　　[1]發(fā)射區(qū)形成和磷吸雜

　　對(duì)于高效太陽(yáng)能電池，發(fā)射區(qū)的形成一般采用選擇擴(kuò)散，在金屬電極下方形成重雜質(zhì)區(qū)域而在電極間實(shí)現(xiàn)淺濃度擴(kuò)散，發(fā)射區(qū)的淺濃度擴(kuò)散即增強(qiáng)了電池對(duì)藍(lán)光的響應(yīng)，又使硅表面易于鈍化。擴(kuò)散的方法有兩步擴(kuò)散工藝、擴(kuò)散加腐蝕工藝和掩埋擴(kuò)散工藝。如今采用選擇擴(kuò)散，15×15cm2電池轉(zhuǎn)換效率達(dá)到16.4%，n++、n+區(qū)域的表面方塊電阻分別為20Ω和80Ω.對(duì)于Mc—Si材料，擴(kuò)磷吸雜對(duì)電池的影響得到廣泛的研究，較長(zhǎng)時(shí)間的磷吸雜過(guò)程(一般3～4小時(shí))，可使一些Mc—Si的少子擴(kuò)散長(zhǎng)度提高兩個(gè)數(shù)量級(jí)。在對(duì)襯底濃度對(duì)吸雜效應(yīng)的研究中發(fā)現(xiàn)，即便對(duì)高濃度的襯第材料，經(jīng)吸雜也能夠獲得較大的少子擴(kuò)散長(zhǎng)度(大于200微米)，電池的開路電壓大于638mv, 轉(zhuǎn)換效率超過(guò)17%。

　　[2]背表面場(chǎng)的形成及鋁吸雜

　　技術(shù)在Mc—Si電池中，背p+p結(jié)由均勻擴(kuò)散鋁或硼形成，硼源一般為BN、BBr、APCVD SiO2：B2O8等，鋁擴(kuò)散為蒸發(fā)或絲網(wǎng)印刷鋁，800度下燒結(jié)所完成，對(duì)鋁吸雜的作用也開展了大量的研究，與磷擴(kuò)散吸雜不同，鋁吸雜在相對(duì)較低的溫度下進(jìn)行。其中體缺陷也參與了雜質(zhì)的溶解和沉積，而在較高溫度下，沉積的雜質(zhì)易于溶解進(jìn)入硅中，對(duì)Mc—Si產(chǎn)生不利的影響。而區(qū)域背場(chǎng)已應(yīng)用于單晶硅電池工藝中，但在多晶硅中，還是應(yīng)用全鋁背表面場(chǎng)結(jié)構(gòu)。

　　[3]雙面Mc—Si電池Mc—Si雙面電池其正面為常規(guī)結(jié)構(gòu)，背面為N+和P+相互交叉的結(jié)構(gòu)，這樣，正面光照產(chǎn)生的但位于背面附近的光生少子可由背電極有效吸收。背電極作為對(duì)正面電極的有效補(bǔ)充，也作為一個(gè)獨(dú)立的栽流子收集器對(duì)背面光照和散射光產(chǎn)生作用，據(jù)報(bào)道，在AM1.5條件下，轉(zhuǎn)換效率超過(guò)19%。

　　表面與體鈍化技術(shù)對(duì)于Mc—Si，因存在較高的晶界、點(diǎn)缺陷(空位、填隙原子、金屬雜質(zhì)、氧、氮及他們的復(fù)合物)對(duì)材料表面和體內(nèi)缺陷的鈍化尤為重要，除前面提到的吸雜技術(shù)外，鈍化工藝有多種方法，通過(guò)熱氧化使硅懸掛鍵飽和是一種比較常用的方法，可使Si-SiO2界面的復(fù)合速度大大下降，其鈍化效果取決于發(fā)射區(qū)的表面濃度、界面態(tài)密度和電子、空穴的浮獲截面。在氫氣氛中退火可使鈍化效果更加明顯。采用PECVD淀積氮化硅正面十分有效，因?yàn)樵诔赡さ倪^(guò)程中具有加氫的效果。該工藝也可應(yīng)用于規(guī)�；�生產(chǎn)中。應(yīng)用Remote PECVD Si3N4可使表面復(fù)合速度小于20cm/s。

　　五、多晶硅太陽(yáng)能電池組件——組件測(cè)試

　　條件(1)由于太陽(yáng)能組件的輸出功率取決于太陽(yáng)輻照度和太陽(yáng)能電池溫度等因素，因此太陽(yáng)能電池組件的測(cè)量在標(biāo)準(zhǔn)條件下(STC)進(jìn)行，標(biāo)準(zhǔn)條件定義為： 大氣質(zhì)量AM1.5， 光照強(qiáng)度1000W/m2，溫度25℃。(2)在該條件下，太陽(yáng)能電池組件所輸出的最大功率稱為峰值功率，在很多情況下，組件的峰值功率通常用太陽(yáng)能模擬儀測(cè)定。影響太陽(yáng)能電池組件輸出性能的主要因素有以下幾點(diǎn)：1)負(fù)載阻抗2)日照強(qiáng)度3)溫度4)陰影

　　六、多晶硅太陽(yáng)能電池組件——壽命

　　太陽(yáng)能電池板廠家提供的數(shù)據(jù)是包用25年。

　　七、多晶硅太陽(yáng)能電池組件——功率計(jì)算

　　太陽(yáng)能交流發(fā)電系統(tǒng)是由太陽(yáng)電池板、充電控制器、逆變器和蓄電池共同組成;太陽(yáng)能直流發(fā)電系統(tǒng)則不包括逆變器。為了使太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)能為負(fù)載提供足夠的電源，就要根據(jù)用電器的功率，合理選擇各部件。下面以100W輸出功率，每天使用6個(gè)小時(shí)為例，介紹一下計(jì)算方法：

　　1.首先應(yīng)計(jì)算出每天消耗的瓦時(shí)數(shù)(包括逆變器的損耗)：若逆變器的轉(zhuǎn)換效率為90%，則當(dāng)輸出功率為100W時(shí)，則實(shí)際需要輸出功率應(yīng)為100W/90%=111W;若按每天使用5小時(shí)，則耗電量為111W*5小時(shí)=555Wh。

　　2.計(jì)算太陽(yáng)能電池板：按每日有效日照時(shí)間為6小時(shí)計(jì)算，再考慮到充電效率和充電過(guò)程中的損耗，太陽(yáng)能電池板的輸出功率應(yīng)為555Wh/6h/70%=130W。其中70%是充電過(guò)程中，太陽(yáng)能電池板的實(shí)際使用功率。

　　八、多晶硅太陽(yáng)能電池組件——應(yīng)用領(lǐng)域

　　1、用戶太陽(yáng)能電源

　　(1)小型電源10-100W不等，用于邊遠(yuǎn)無(wú)電地區(qū)如高原、海島、牧區(qū)、邊防哨所等軍民生活用電，如照明、電視、收錄機(jī)等;

　　(2)3-5KW家庭屋頂并網(wǎng)發(fā)電系統(tǒng);

　　(3)光伏水泵：解決無(wú)電地區(qū)的深水井飲用、灌溉。

　　2、交通領(lǐng)域如航標(biāo)燈、交通/鐵路信號(hào)燈、交通警示/標(biāo)志燈、宇翔路燈、高空障礙燈、高速公路/鐵路無(wú)線電話亭、無(wú)人值守道班供電等。

　　3、通訊/通信領(lǐng)域太陽(yáng)能無(wú)人值守微波中繼站、光纜維護(hù)站、廣播/通訊/尋呼電源系統(tǒng);農(nóng)村載波電話光伏系統(tǒng)、小型通信機(jī)、士兵GPS供電等。

　　4、石油、海洋、氣象領(lǐng)域石油管道和水庫(kù)閘門陰極保護(hù)太陽(yáng)能電源系統(tǒng)、石油鉆井平臺(tái)生活及應(yīng)急電源、海洋檢測(cè)設(shè)備、氣象/水文觀測(cè)設(shè)備等。

　　5、家庭燈具電源如庭院燈、路燈、手提燈、野營(yíng)燈、登山燈、垂釣燈、黑光燈、割膠燈、節(jié)能燈等。

　　6、光伏電站10KW-50MW獨(dú)立光伏電站、風(fēng)光(柴)互補(bǔ)電站、各種大型停車廠充電站等。

　　7、太陽(yáng)能建筑將太陽(yáng)能發(fā)電與建筑材料相結(jié)合，使得未來(lái)的大型建筑實(shí)現(xiàn)電力自給，是未來(lái)一大發(fā)展方向。

　　8、其他領(lǐng)域包括

　　(1)與汽車配套：太陽(yáng)能汽車/電動(dòng)車、電池充電設(shè)備、汽車空調(diào)、換氣扇、冷飲箱等;

　　(2)太陽(yáng)能制氫加燃料電池的再生發(fā)電系統(tǒng);

　　(3)海水淡化設(shè)備供電;

　　(4)衛(wèi)星、航天器、空間太陽(yáng)能電站等。

　　九、多晶硅太陽(yáng)能電池組件——發(fā)展原因

　　重心已由單晶向多晶方向發(fā)展，主要原因?yàn)椋?/p>

　　[1]可供應(yīng)太陽(yáng)電池的頭尾料愈來(lái)愈少;

　　[2] 對(duì)太陽(yáng)電池來(lái)講，方形基片更合算，通過(guò)澆鑄法和直接凝固法所獲得的多晶硅可直接獲得方形材料;

　　[3]多晶硅的生產(chǎn)工藝不斷取得進(jìn)展，全自動(dòng)澆鑄爐每生產(chǎn)周期(50小時(shí))可生產(chǎn)200公斤以上的硅錠，晶粒的尺寸達(dá)到厘米級(jí);

　　[4]由于近十年單晶硅工藝的研究與發(fā)展很快，其中工藝也被應(yīng)用于多晶硅電池的生產(chǎn)，例如選擇腐蝕發(fā)射結(jié)、背表面場(chǎng)、腐蝕絨面、表面和體鈍化、細(xì)金屬柵電極，采用絲網(wǎng)印刷技術(shù)可使柵電極的寬度降低到50微米，高度達(dá)到15微米以上，快速熱退火技術(shù)用于多晶硅的生產(chǎn)可大大縮短工藝時(shí)間，單片熱工序時(shí)間可在一分鐘之內(nèi)完成，采用該工藝在100平方厘米的多晶硅片上作出的電池轉(zhuǎn)換效率超過(guò)14%。

　　據(jù)報(bào)道，在50～60微米多晶硅襯底上制作的電池效率超過(guò)16%。利用機(jī)械刻槽、絲網(wǎng)印刷技術(shù)在100平方厘米多晶上效率超過(guò)17%，無(wú)機(jī)械刻槽在同樣面積上效率達(dá)到16%，采用埋柵結(jié)構(gòu)，機(jī)械刻槽在130平方厘米的多晶上電池效率達(dá)到15.8%。

　　十、多晶硅太陽(yáng)能電池組件——相關(guān)報(bào)道

　　太陽(yáng)能電池模塊實(shí)現(xiàn)高功率除精密陶瓷外，京瓷還展示了已投入歐洲市場(chǎng)的大型高輸出功率的多晶硅太陽(yáng)能電池模塊新產(chǎn)品。“該模塊使用60塊太陽(yáng)能電池芯片，其優(yōu)勢(shì)在于每個(gè)模塊的輸出功率可提高到235W。與過(guò)去210W的模塊相比，建造安裝1MW的系統(tǒng)時(shí)，可減少使用約500塊模塊，這既能減少安裝面積，還能節(jié)約施工費(fèi)用。”

　　吉川英里介紹說(shuō)，“因而已被應(yīng)用于日本北海道電力、東京電力、四國(guó)電力和九州電力等電力公司兆瓦級(jí)太陽(yáng)能發(fā)電站。

　　第二個(gè)應(yīng)用是豐田汽車公司生產(chǎn)銷售的游艇提供的選配項(xiàng)“豐田太陽(yáng)能電池板”用太陽(yáng)能電池模塊。吉川英里介紹說(shuō)，太陽(yáng)能電池所產(chǎn)生的光電流會(huì)貯存在蓄電池里面，可充當(dāng)船舶內(nèi)冰箱、微波爐等各種船上電子設(shè)備所消耗的部分電力，有利于電子設(shè)備長(zhǎng)時(shí)間的安全使用，其優(yōu)勢(shì)在于成本低、發(fā)電穩(wěn)定、可長(zhǎng)久使用。

　　這也是京瓷為豐田混合動(dòng)力車“普銳斯”提供太陽(yáng)能電池模塊表現(xiàn)優(yōu)異的結(jié)果。第三個(gè)應(yīng)用為住宅。吉川英里介紹，京瓷太陽(yáng)能電池模塊壽命可達(dá)30年，尺寸可按屋頂需求設(shè)計(jì)，1000W需大約花費(fèi)60萬(wàn)日元，一個(gè)25平方米的房子平均需要4000W，太陽(yáng)能電池模塊可提供80%的能量。京瓷通過(guò)與電力公司合作，目在日本住宅應(yīng)用率已達(dá)到2%。

浩通太陽(yáng)能光伏發(fā)電官網(wǎng)文章地址：http://www.hackwd.com/zujian/duojinggui/